Samsung đã cung cấp bản cập nhật về việc chuyển đổi công nghệ quy trình của mình trong sự kiện kỹ thuật số Samsung Foundry Forum thường niên lần thứ năm.
Công ty hiện đang lên kế hoạch bắt đầu sản xuất các thiết kế chip dựa trên 3nm đầu tiên cho khách hàng vào nửa đầu năm 2022. Quy trình 3nm Gate-All-Around (GAA) đầu tiên sử dụng Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) sẽ cho phép diện tích giảm tới 35%, hiệu suất cao hơn 30% hoặc tiêu thụ điện năng thấp hơn 50% khi so sánh với chip 5nm.
Công ty lưu ý thêm rằng năng suất logic của 3nm đang đạt đến mức tương tự như của 4nm, vốn đã được sản xuất hàng loạt. Nhìn xa hơn, Samsung cho biết 3nm thế hệ thứ hai của họ hiện đang được mong đợi vào năm 2023 và quy trình 2nm của họ với MBCFET hiện đang trong giai đoạn phát triển ban đầu với dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2025.
Ban đầu, Samsung có kế hoạch đưa sản xuất 3nm vào sản xuất số lượng lớn vào cuối năm 2021, nhưng dường như đã đánh giá thấp mức độ khó khăn liên quan đến việc thu hẹp quy trình nhỏ như vậy. Tình trạng thiếu chip đang diễn ra do đại dịch toàn cầu chắc chắn cũng không giúp được gì cho tình hình.
Về mặt đó, Samsung cho biết họ đang tiếp tục cải thiện quy trình FinFET của mình cho các trường hợp sử dụng ứng dụng cụ thể và hiệu quả về chi phí. Công ty đã nhấn mạnh quy trình FinFET 17nm của mình, lưu ý rằng nó cung cấp diện tích giảm tới 43%, hiệu suất cao hơn 39% hoặc tăng 49% hiệu suất năng lượng so với quy trình 28nm.
Thật vậy, khi tình trạng thiếu chip kéo dài, nhiều khách hàng đang chuyển sang các quy trình sản xuất hoàn thiện để đáp ứng nhu cầu của họ. Điều đó có vẻ như là không phải tất cả các thiết bị điện tử đều yêu cầu kỹ thuật sản xuất tiên tiến.
Không có nhận xét nào:
Đăng nhận xét